南韓檢方與法庭證詞指控中國記憶體大廠長鑫存儲從創立之初就靠竊取三星技術起家，對三星和南韓半導體產業是壞消息，對長鑫則等於省下多年研發時間。

• 一名從三星跳槽、協助創辦長鑫的工程師出庭承認，長鑫2016年成立時就沒打算自己研發，而是直接鎖定三星的核心製程資料。
• 外洩的是三星18奈米級DRAM的「製造配方」，涵蓋600道製程步驟和設備條件，被抄進12頁筆記帶走。
• 長鑫拿到資料後依自己的產線修改驗證，2019年就量產DRAM，10年內躍升全球DRAM市場的重要對手。
• 三星花了5年、砸下約1.6兆韓元才累積出這些經驗，真正被拿走的是最難用錢買到的試錯時間。
• 涉案的三星前員工今年4月一審被判7年，南韓法界質疑刑度太輕、嚇阻不了下一次。

Outlook: 南韓正討論加重技術外洩的量刑並在技術進入對手產線前就出手攔阻，以免半導體重演面板產業被追過的結局。