韩国检方与法庭证词指控中国存储器大厂长鑫存储从创立之初就靠窃取三星技术起家，对三星和韩国半导体产业是坏消息，对长鑫则等于省下多年研发时间。

• 一名从三星跳槽、协助创办长鑫的工程师出庭承认，长鑫2016年成立时就没打算自己研发，而是直接锁定三星的核心制程资料。
• 外泄的是三星18纳米级DRAM的“制造配方”，涵盖600道制程步骤和设备条件，被抄进12页笔记带走。
• 长鑫拿到资料后依自己的产线修改验证，2019年就量产DRAM，10年内跃升为全球DRAM市场的重要对手。
• 三星花了5年、砸下约1.6万亿韩元才积累出这些经验，真正被拿走的是最难用钱买到的试错时间。
• 涉案的三星前员工今年4月一审被判7年，韩国法律界质疑刑度太轻、吓阻不了下一次。

Outlook: 韩国正讨论加重技术外泄的量刑，并在技术进入对手产线前就出手拦阻，以免半导体重演面板产业被追过的结局。