記憶體晶片廠正改用一種新金屬，以便將快閃記憶體晶片堆疊得更高——這對設備廠商以及在這場競賽中領先的 SK 海力士來說都是好消息。

• 快閃記憶體晶片在十年前就停止橫向微縮，如今改以層數堆疊，但一旦超過 300 層，內部的鎢導線電阻過高且容易漏電。
• 鉬在極微小尺度下導電性更佳、漏電更少，也更適合填入超深的孔洞，讓晶片廠能在同樣的矽片上塞進更多儲存容量。
• SK 海力士以 321 層領先，並計畫在年底達到 375 層；美光與三星則落在 270 至 290 層之間，鎧俠與 SanDisk 以 218 層墊底。
• 這項轉換為沉積設備開創了新市場——明年規模將超過 10 億美元，到 2030 年更將翻倍——其中科林研發搶得先機。
• 記憶體廠有能力負擔這波升級：前五大快閃記憶體品牌上一季的合計營收大幅成長。

展望：隨著鉬從利基製程成長為 2027 年約三分之一快閃記憶體產能所採用的方案，預期業界將突破 400 層，使中國的長江存儲進一步落後。