存储芯片厂商正改用一种新金属，以便将闪存芯片继续向上堆叠——这对设备制造商以及在这场竞赛中领先的SK海力士来说都是好消息。

• 闪存芯片十年前就停止了横向微缩，如今转为层层堆叠，但超过300层后，内部的钨制布线电阻过高、漏电过多。
• 钼在极小尺度下导电性更好、漏电更少，且能填入超深孔洞，让芯片厂商在同样的硅片上塞进更多存储容量。
• SK海力士以321层领先，并计划在年底前达到375层，而美光和三星处于270至290层区间，铠侠和闪迪则以218层落后。
• 这一转换催生了沉积设备的新市场——明年规模将超过10亿美元，到2030年将翻一番——泛林集团抢得先机。
• 存储厂商有能力负担这次升级：上季度前五大闪存品牌的合计销售额大幅跃升。

展望：随着钼从小众工艺发展为到2027年约占闪存产量的三分之一，预计行业将突破400层，中国的长江存储将进一步被甩在身后。