SK海力士的3D DRAM计划引发外界对其与台积电扩大合作的猜测
SK海力士正在重新设计存储芯片的制造方式,这一转变可能为台积电带来更多订单——对台湾芯片产业而言是个好消息,不过目前尚无任何确认。
- SK海力士希望将DRAM拆分为两个部分:存储数据的存储单元,以及负责数据进出的外围电路。
- 电路部分将采用先进逻辑芯片工艺制造——正是台积电所擅长的领域——然后堆叠在存储层之上。
- 两家公司已经在HBM4上展开合作。HBM4是用于AI芯片的最新款高带宽存储器,其基底层由台积电制造。
- AI加速器如今需要的不只是更大的存储容量,还要求数据传输更快、功耗更低,这正推动存储厂商转向逻辑制造。
- 韩国分析师表示,SK海力士将逻辑部分交给外部代工厂的可能性依然不大——除非它落后于竞争对手,需要快速追赶。
前景展望:预计SK海力士将保留各种选项,任何更大规模的台积电合作都将取决于其自主研发推进的速度。